ALLNET Brick’R’knowledge Transistor n-MOS IPD079N06L3

Beschreibung

Unser Feldeffekt-Transistor steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source über die am Gate angelegte Spannung. Das Besondere an diesem Bauelement ist, dass die Verbindung zwischen Gate und Source sehr hochohmig ist. Feldeffekttransistoren werden als MOSFET (Metall-Oxid-Semileitender Feldeffekt-Transistor) bezeichnet oder kurz als MOS. Es gibt unterschiedliche Arten von MOS, dieser ist ein normal sperrender n-Kanal. Dies bedeutet, dass die Schwellspannung am Gate (Tor) anliegen muss, damit ein Stromfluss zwischen Drain (Abfluss) und Source (Quelle) erfahren wird. Die Spannung muss am Gate positiv zur Source sein. Der MOSFET kann bis zu 60V Source – Drain- Spannung vertragen und einen Spitzenstrom von 60A (nicht beides gleichzeitig versteht sich). Achtung. Die Kontakte des Brickssystems vertragen maximal 6.3A pro Kontakt. Der Gate-Eingang ist mit einer ESD 12V geschützt, sowie einem Widerstand von 22kOhm.